霍尔开关HT-M12-N15TO

霍尔开关HT-M12-N15TO、HT-M12-N15TC说明
霍尔开关HT-M12-N15TO、HT-M12-N15TC是一种磁敏元件。利用霍尔元件做成的开关，叫做霍尔开关。当磁性物件移近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔元件因产生霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化，由此识别附近有磁性物体存在，进而控制开关的通或断。
这种接近开关的检测对象是磁性物体，接近开关又称无触点接近开关，是的电子开关量传感器。当金属检测体接近开关的感应区域，开关就能无接触，无压力、无火花、迅速发出电气指令，准确反应出运动机构的位置和行程，即使用于一般的行程控制，其定位 度、操作频率、使用寿命、安装调整的方便性和对恶劣环境的适用能力，是一般机械式行程开关所不能相比的。它广泛地应用于机床、冶金、化工、轻纺和印刷等行业。在自动控制系统中可作为限位、计数、定位控制和自动保护环节等。
它是利用导电物体在接近这个能产生电磁场接近开关时，使物体内部产生涡流。这个涡流反作用到接近开关，使开关内部电路参数发生变化，由此识别出有无导电物体移近，进而控制开关的通或断。这种接近开关所能检测的物体是导电体。 
电容式接近开关 这种开关的测量通常是构成电容器的一个极板，而另一个极板是开关的外壳。这个外壳在测量过程中通常是接地或与设备的机壳相连接。当有物体移向接近开关时，不论它是否为导体，由于它的接近，总要使电容的介电常数发生变化，从而使电容量发生变化，使得和测量头相连的电路状态也随之发生变化，由此便可控制开关的接通或断开。这种接近开关检测的对象，不限于导体，可以绝缘的液体或粉状物等。 
霍尔接近开关 霍尔元件是一种磁敏元件。利用霍尔元件做成的开关，叫做霍尔开关。当磁性物件移近霍尔开关时，开关检测面上的霍尔元件因产生霍尔效应而使开关内部电路状态发生变化，由此识别附近有磁性物体存在，进而控制开关的通或断。这种接近开关的检测对象是磁性物体。 
光电式接近开关 利用光电效应做成的开关叫光电开关。将发光器件与光电器件按一定方向装在同一个检测头内。当有反光面（被检测物体）接近时，光电器件接收到反射光后便在信号输出，由此便可&lquo;感知&rquo;有物体接近。 
热释电式接近开关 用能感知温度变化的元件做成的开关叫热释电式接近开关。这种开关是将热释电器件安装在开关的检测面上，当有与环境温度不同的物体接近时，热释电器件的输出便变化，由此便可检测出有物体接近。 
型式的接近开关 当观察者或系统对波源的距离发生改变时，接近到的波的频率会发生偏移，这种现象称为多普勒效应。声纳和雷达就是利用这个效应的原理制成的。利用多普勒效应可制成接近开关、微波接近开关等。当有物体移近时，接近开关接收到的反射信号会产生多普勒频移，由此可以识别出有无物体接近。
技术参数
类型
霍尔式接近开关
磁感式接近开关
电感式接近开关
系列
HR-M12
HT-M12
HL-S30
外形尺寸
M12*30全螺纹
M12*53
30*30*52.5
安装距22,2Φ4
约定距离Sn
4mm
15mm
15mm
体型号
直流二线式
-
HT-M12-N15TO
HL-S30-N15TO
-
HT-M12-N15TC
HL-S30-N15TC
直流三线式
NPN
HL-M12-S4NO
HT-M12-N15NO
HL-S30-N15NO
-
HT-M12-N15NC
HL-S30-N15NC
PNP
-
HT-M12-N15PO
HL-S30-N15PO
-
HT-M12-N15PC
HL-S30-N15PC
交流二线式
-
HT-M12-N1O
HL-S30-N1O
-
HT-M12-N1C
HL-S30-N1C
检测距离
视磁铁强弱而定
视磁铁强弱而定
0-15mm
检测体
磁铁
磁铁
铁块30*30*1mm
响应频率
（HZ）
2K
C：500 AC：20
C：500 AC：20
回差
Sn的50以下
Sn的50以下
Sn的10以下
电源电压
C：5-24V
C：5-30V
C：10-30V AC：90-250V
负载能力
≤25mA
≤150mA
≤150mA
压降
C二线：≤6V
C三线：≤1V
AC二线：≤10V
漏电流
C二线：≤1mA
C三线：≤0.5mA
AC二线：≤1mA
保护方式
极性反接保护
环境温度
-25℃ - +70℃
外壳材料
金属、塑料
法兰型阻旋式料位开关RD-11
法兰镰刀型阻旋式料位开关RD-11F
轴长可调型阻旋式料位开关RD-40
螺纹型阻旋式料位开关RD-80
温钢索型阻旋式料位开关RD-30T
螺纹型阻旋式料位开关RD-10
温轴保护管型阻旋式料位开关RD-20T
钢索型阻旋式料位开关RD-30

霍尔传感器的工作原理基于霍尔效应，即当电流通过导体并受到垂直于其电流方向的磁场作用时，导体内部会产生垂直于电流和磁场方向的电位差。以下是详细解释：

霍尔效应：

霍尔效应是物理学家埃德温·霍尔于1879年发现的一种电磁效应。

当一个通电导体（或半导体）置于磁场中时，在该导体两侧面会产生电压，该电压被称为霍尔电压。

工作原理：

在霍尔传感器中，核心元件是霍尔元件。

当传感器中的霍尔元件处于磁场中时，磁场强度会引起霍尔电压的变化。

通过检测这一电压变化，霍尔传感器能够测量磁场的强弱、方向或变化情况。

具体过程：

输入电流：在霍尔元件上施加恒定电流。

磁场感应：磁场垂直作用于霍尔元件。

电压输出：根据磁场强弱，霍尔元件会输出相应的霍尔电压。这个电压与磁感应强度、控制电流以及霍尔元件的材料（霍尔系数）有关。 表达式：

霍尔电压UH可用以下表达式来表示：UH = KIBcosθ，其中UH为霍尔电压，K为灵敏度，I为电流，B为磁感应强度，θ为磁场与磁敏面垂直方向的夹角。

霍尔传感器正是基于这一原理，将变化的磁场转化为输出电压的变化，从而实现对磁场及其变化的检测。这种传感器具有非接触测量、响应快速、高灵敏度等优点，被广泛应用于工业、汽车、消费电子等领域。

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